CVD是一种气相物质在高温下通过低化学反应而生成固体物质并沉积在基板上的成膜方法。具体的说挥发性的金属卤化物和金属有机化合物等与H2,Ar或N2等远载气体混合后,均匀的送到反应室的高温基板上,通过热解还原,氧化,水解,歧化,聚合等化学反应。
CVD系统由沉积温度控件、沉积反应室、真空控制部件和气源控制备件等部分组成亦可根据用户需要设计生产，除了主要应用在碳纳米材料制备行业外，现在正在使用在许多行业，包括纳米电子学、半导体、光电工程的研发、涂料等领域 。
CVD系统是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应，从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统。
CVD系统产品的特点：
1.兼容、常压、微正压多种主流的生长模式；
2.可以在1000Pa-0.1Pa之间任意气压下进行石墨烯的生长；
3. 使用计算机控制，可以设置多种生长参数；
4.可以制备高质量，大面积石墨烯等碳材料，尺寸可达数厘米，研究动力学过程；
5. 沉积效率高；薄膜的成分精确可控，配比范围大；厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜沉积且能大量生产。
CVD系统的产品用途：
适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控。
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